輸入電壓4.5V~20V
輸入耐壓22V
充電電流3A
充電方式升降壓充電
充電頻率500KHZ
同步整流是
電壓可調是
電流可調是
NTC帶
使能帶
MOS管內置是
封裝QFN3*4
較少包裝5000
特性:
·集成低RDS(on) 功率 MOSFET
·寬輸入范圍: 4.2V-21.0V, 支持1-4芯電池充電
·全充電電壓可以通過(guò)外部電阻器進(jìn)行編程
·率
JW3655E芯片是一種高速光通信芯片,由美國的光通信芯片設計公司JW化學(xué)公司開(kāi)發(fā)。它采用了的SiGe BiCMOS工藝,具有高速、低功耗、低噪聲和高靈敏度等特點(diǎn),可以用于光纖通信、數據中心、云計算、衛星通信和無(wú)線(xiàn)通信等領(lǐng)域。

JW3655E芯片還具有自適應等化器和前向糾錯等功能,可以提高數據傳輸的可靠性和穩定性。該芯片已經(jīng)廣泛應用于光通信市場(chǎng),并受到了客戶(hù)的高度評價(jià)。

JW3655E芯片具有低功耗、高性能、高可靠性等特點(diǎn),適用于數據中心、云計算、通信基礎設施等領(lǐng)域。該芯片的應用可以提高光通信系統的傳輸速率和可靠性,降低能耗和成本,促進(jìn)光通信技術(shù)的發(fā)展和應用。

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